fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original

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GW60V60DF, Igbt Transistor GW60V60DF, Igbt 600v, 60A. 2 unidades

$4.280 Neto

FGH60N60SMD  

B9D7-825

SKU: TD-FGH60N60 SMD Categoría: Etiquetas: , , , ,

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Descripción

Página 1
FGH60N60SMD
600 V, 60 A Field Stop IGBT
Caracteristicas
• Temperatura máxima de unión: T J = 175 o C
• Coeficiente de temperatura positiva para un fácil funcionamiento en paralelo.
• Alta capacidad de corriente
• Voltaje de saturación bajo: V CE (sat) = 1.9 V (típico) @ I C = 60 A
• Alta impedancia de entrada
• Cambio rápido: E OFF = 7.5 uJ / A
• Distribución de parámetros ajustados
• RoHS

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    Número de Parte: 2MBI450U4E-120

    Tipo de transistor: IGBT

    Polaridad de transistor: N

    ESPECIFICACIONES TECNICAS

    Máxima potencia disipada (Pc), W: 2715

    Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200

    Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

    Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 675

    Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15

    Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5

    Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

    Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100

    Paquete / Cubierta: MODULE

    $95.788 Neto
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    1. Tiempo de resistencia a cortocircuito – 10us
    2. Diseñado para:
    – Convertidores de frecuencia
    – Suministro de energía ininterrumpida
    3. TrenchStop® de segunda generación para aplicaciones de 1200 V ofrece:
    – distribución de parámetros muy ajustada
    – alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
    4. Capacidad de paralelismo fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE (sat)
    5. Baja EMI
    6. Carga baja de la puerta
    7. Muy suave, recuperación rápida anti-paralelo Emitio controlado por emisor
    8. Calificado según JEDEC1 para aplicaciones de destino
    9. Recubrimiento de plomo sin Pb; RoHS

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    El precio original era: $7.690.El precio actual es: $4.988. Neto
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