Transistores

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    RJH60F5,Transistor IGBT 600V/40A

    RJH60F5. Transistor IGBT. TO-247, 600V/80A. Pack 2 unidades.
    RJH60F5. Transistor IGBT. TO-247, 600V/80A. Pack 2 unidades.RJH60F5. Transistor IGBT. TO-247, 600V/80A. Pack 2 unidades.
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    RJH60F5,Transistor IGBT 600V/40A

    Tipo: IGBT, Transistor Bipolar de Puerta Aislada
    Voltaje : 600V
    Corriente: 80A-25 ºC ; 40A-100ºC

    B11B511

    $2.990 Neto
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    RJH60F7 600V 50A(100ºC) To-247 Original Maquina De Soldar

    RJH60F7 700v 60a To-247 Original Maquina De Soldar
    RJH60F7 700v 60a To-247 Original Maquina De SoldarRJH60F7 700v 60a To-247 Original Maquina De Soldar
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    RJH60F7 600V 50A(100ºC) To-247 Original Maquina De...

    TRANSISTOR IGBT RJH60F7 PARA MAQUINAS DE SOLDAR ELECTRÓNICAS
    90A a 25ºC, 50 A 100ºC, 600 VOLT.

    B11D1-670

    $3.199 Neto
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    2sk2698 K2698 Transistor Mosfet Ch-n 500 V 15a To-3p.Toshiba

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    2sk2698 K2698 Transistor Mosfet Ch-n 500 V 15a To-3p.Toshiba

    Tipo de transistor
    		N-MOSFET
    Polarización
    		unipolar
    Tensión drenaje-fuente
    		500V
    Corriente del drenaje
    		15A
    Carcasa
    		2-16C1B
    Resistencia en estado de transferencia
    		0.4Ω
    Montaje
    		THT

    B3D8-930

    $3.344 Neto
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    Transistor k2372

    Transistor k2372
    Transistor k2372Transistor k2372
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    Transistor k2372

    Transistor N-CHANNEL MOSFET de potencia

    B9B6C27

    $3.590 Neto
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    Transistor BD135 NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades

    Transistor, BD135, NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades
    Transistor, BD135, NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidadesTransistor, BD135, NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines Pack 6 unidades
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    Transistor BD135 NPN 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines...

    *Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V
    *Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C
    *Number of Elements per Chip: Monopolar
    *Longitud: 7.8mm
    *Maximum Collector Base Voltage: 45 V
    *Transistor Configuration: Simple
    *Brand ST: Microelectronics
    *Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V
    *Tipo de Encapsulado: SOT-32
    *Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW
    *Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante
    *Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
    *Profundidad: 2.7mm
    *Corriente DC Máxima del Colector:3 A
    *Transistor Type :NPN
    *Altura:10.8mm
    *Conteo de Pines:0
    *Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm
    *Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V
    *Ganancia Mínima de Corriente: DC 25
    B12DS4C20
    $3.660 Neto
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    Transistor, BD140, Phillips,Original PNP 3 A 80 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Pack 6 Unidades

    Transistor, BD140, PNP 3 A 80 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades
    Transistor, BD140, PNP 3 A 80 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 UnidadesTransistor, BD140, PNP 3 A 80 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades
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    Transistor, BD140, Phillips,Original PNP 3 A 80 V HFE:25...

    *Temperatura de Funcionamiento Máxima
    +150 °C
    *Nunber of Elements per Chip
    Monopolar
    *Longitud
    7.8mm
    *Transistor Configuration
    Simple
    *Maximum Collector Base Voltage
    80 V
    *Brand
    STMicroelectronics
    *Tensión Máxima Colector-Emisor 80 V
    *Tipo de Encapsulado
    SOT-32
    *Disipación de Potencia Máxima
    1250 mW
    *Tipo de montaje
    Montaje en orificio pasante
    *Temperatura Mínima de Funcionamiento
    -65 °C
    *Profundidad
    2.7mm
    *Corriente DC Máxima del Colector
    3 A
    *Transistor Type PNP
    *Altura
    10.8mm
    *Conteo de Pines
    0
    *Dimensiones del Cuerpo
    10.8 x 7.8 x 2.7mm
    *Maximum Emitter Base Voltage
    5.0 V
    *Ganancia Mínima de Corriente DC
    25
        B12B6128
    $3.720 Neto
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    60U65FD1/SGT60U65FD1PN Igbt 650v 60A con diodo paralelo. Silan Microelectronics

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    60U65FD1/SGT60U65FD1PN Igbt 650v 60A con diodo paralelo....

    B9C1026

    $3.877 Neto
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    Lote 5x Uc3842an

    Lote 5x Uc3842an
    Lote 5x Uc3842anLote 5x Uc3842an
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    Lote 5x Uc3842an

    Lote 5x Uc3842an

    Alto rendimiento
    Controladores de modo actual

    La serie UC3842A, de alto rendimiento fija
    Los controladores de frecuencia del modo actual están específicamente diseñados para
    aplicaciones de convertidor fuera de línea y de CC a CC que ofrecen al diseñador una
    solución rentable con componentes externos mínimos.

    B1B13C54

    $3.900 Neto
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  • AGOTADO
    2 unidades de Transistor 2sk9002 unidades de Transistor 2sk900
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    2 unidades de Transistor 2sk900

    Transistor 2sk900

    Número de Parte: 2SK900

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

    Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

    Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

    Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

    Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

    Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1800 pF

    Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

    Empaquetado / Estuche: TO220AB

    $3.900 Neto
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    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades

    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidadesTransistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines, Simple Pack 6 unidades
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    Transistor, BD136, PNP 3 A 45 V HFE:25 SOT-32, 3 pines,...

    *Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0,5 V
    *Temperatura de Funcionamiento Máxima:+150 °C
    *Number of Elements per Chip: Monopolar
    *Longitud: 7.8mm
    *Maximum Collector Base Voltage: 45 V
    *Transistor Configuration: Simple
    *Brand ST: Microelectronics
    *Tensión Máxima Colector-Emisor:45 V
    *Tipo de Encapsulado: SOT-32
    *Disipación de Potencia Máxima: 1250 mW
    *Tipo de montaje:Montaje en orificio pasante
    *Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
    *Profundidad: 2.7mm
    *Corriente DC Máxima del Colector:3 A
    *Transistor Type :NPN
    *Altura:10.8mm
    *Conteo de Pines:0
    *Dimensiones del Cuerpo: 10.8 x 7.8 x 2.7mm
    *Maximum Emitter Base Voltage: 5.0 V
    *Ganancia Mínima de Corriente: DC 25
    B12B4S5C20
    $3.900 Neto
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    Transistor BD137 NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades

    Transistor, BD13716STU, NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades
    Transistor, BD13716STU, NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 UnidadesTransistor, BD13716STU, NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines, Simple Pack 6 Unidades
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    Transistor BD137 NPN 1,5 A 60 V HFE:40 TO-126, 3 pines,...

    Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:
    0,5 V
    Temperatura de Funcionamiento Máxima:
    +150 °C
    Number of Elements per Chip:
    Monopolar
    Longitud:
    8
    Transistor Configuration:
    Simple
    Maximum Collector Base Voltage:
    60 V
    Brand:
    ON Semiconductor
    Tensión Máxima Colector-Emisor:
    60 V
    Tipo de Encapsulado:
    TO-126
    Disipación de Potencia Máxima.
    12,5 W
    Tipo de montaje:
    Montaje en orificio pasante
    Profundidad:
    3.25mm
    Corriente DC Máxima del Colector:
    2.3 A
    Transistor Type:
    NPN
    Altura:
    11mm
    Conteo de Pines:
    0
    Dimensiones del Cuerpo:
    8 x 3.25 x 11mm
    Maximum Emitter Base Voltage:
    5.0 V
         
    B12B4S6C20
    $3.900 Neto
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    Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple Difuso

    TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso
    TRANSISTOR Silicio NPN Triple DifusoTRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso
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    Pack 2 TRANSISTORES Silicio NPN Triple Difuso

    TRANSISTOR Silicio NPN Triple Difuso AMPLIFICADOR DE POTENCIA DE BAJA FRECUENCIA

    B4A14C25

    $3.908 Neto
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