Producto de la Etiqueta - transistor

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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power MOSFET Transistor

    Lote 2 Unidades HEXFET Power MOSFET Transistor
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    Pack de 2 Unidades IRFB4410 HEXFET Power MOSFET Transistor

    El MOSFET IRFB4410 es empleado en circuitos de rectificación sincronizada de alta eficiencia en SMPS, fuentes de alimentación ininterrumpibles, circuitos de alta frecuencia, etc.

    B4D5C35

    $5.462 Neto
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    MJE15033G Transistor PNP -250 V, -8 A. Lote 3 unidades

    MJE15033G Transistor
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    MJE15033G Transistor PNP -250 V, -8 A. Lote 3 unidades
    El MJE15033G es un transistor de potencia PNP diseñado para su uso como un conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Gran ancho de banda de ganancia de corriente y alta ganancia de corriente DC.

    – 62.5 ° C / W Resistencia térmica de unión a ambiente
    – 2.5 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja

    B12B2C20

    $5.515 Neto
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    FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original

    FGH40N60 IGBT de Parada de Tiempo, 600V,40A
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    FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original

    Usando la nueva tecnología IGBT de parada de campo. Los IGBT FGH40N60 ofrecen el redimiento ótimo para un inversor solar, UPS, aplicaciones de soldador, microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde la baja de conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.

    B7C1-3C44

    $5.590 Neto
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    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades

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    Transistor FS5ASJ Mosfet. Pack de 3 unidades

    Número de Parte: FS5ASJ-2

    Tipo de FET: MOSFET

    Polaridad de transistor: N

    B11C15C29

    $5.590 Neto
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    17N80C3 Transistor MOSFET

    17N80C3 Transistor
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    17N80C3 Transistor MOSFET

    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

    Carga de compuerta (Qg): 91 nC

    Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.29 Ohm

    **Nota Encapsulados: TO220 Y TO-3PL

    B9A7C14

    $5.790 Neto
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    Transistor D1113 / 2SD1113

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    Transistor D1113 / 2SD1113

    ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

    Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

    Tensión colector-base (Vcb): 300 V

    Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

    Tensión emisor-base (Veb): 7 V

    Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

    Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

    CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

    Ganancia de corriente contínua (hfe): 500

    Empaquetado / Estuche: TO220

    B12B1S10C2

    $5.900 Neto
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    GW60V60DF, Igbt 600v, 60A. 2 unidades

    GW60V60DF, Igbt Transistor
    GW60V60DF, Igbt TransistorGW60V60DF, Igbt Transistor
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    GW60V60DF, Igbt 600v, 60A. 2 unidades

    Gw60v60df Gw60v60 Stgw60v60df 600v Igbt Transistor

    600 Volt, 60A muy alta velocidad.

    B8A530

    $5.900 Neto
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    2SC4793 TRANSISTOR PACK 8 UNIDADES

    2SC4793 LOTE X 8
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    2SC4793 TRANSISTOR PACK 8 UNIDADES

    Transistor 2SC4793 Tipo T. Información Básica NPN 230 V 1 A 20 W 100 MHz Encapsulado TO-220F 3 pines Sustituto NTE2648

    B8B13C24

    $5.933 Neto
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    IRFI4321 MOSFET transistor Lote 2 unidades

    IRFI4321 MOSFET transistor Lote 2 unidades
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    IRFI4321 MOSFET transistor Lote 2 unidades
    • Voltaje de ruptura de drenaje a fuente: 150 V
    • Voltaje de puerta a fuente, máx .: ± 30 V
    • Resistencia en estado de drenaje-fuente, máx .: 16,000 Ohm
    • Intensidad Drenador Continua: 34 A
    • Carga total de la puerta: 73 nC
    • Disipación de potencia: 46 W

    B12B4S2C25

    $5.950 Neto
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    IGBT FGH60N60 600V, 60A(100ºC).Original. Con diodo damper.

    IGBT FGH60N60 600V, 60A
    IGBT FGH60N60 600V, 60AIGBT FGH60N60 600V, 60A
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    IGBT FGH60N60 600V, 60A(100ºC).Original. Con diodo damper.

    Utilizando la nueva tecnología Field Stop IGBT, la serie de FairGB IGBT de Fairchild ofrece el FGH60N60 con un rendimiento óptimo para aplicaciones de calentamiento por inducción, UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.

    B7D10.11C22

    $5.990 Neto
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    NJW0281G TRANSISTOR Potencia LOTE 2 UNIDADES

    NJW0281G TRANSISTOR Potencia
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    NJW0281G TRANSISTOR Potencia LOTE 2 UNIDADES

    Descripción

    Transistor NJW0281G de potencia NPN, bipolar  con la linealidad de ganancia superior y con un desempeño seguro para el   área de operación. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y demás aplicaciones lineales
    B11C323
    $5.990 Neto
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    G30N60HS IGBT NTP, 600V, 30A a 100ºC.Pack 3 unidades.

    Lote 6 Unidades G30N60HS IGBT de alta tecnología NTP, 600V, 41A
    Lote 6 Unidades G30N60HS IGBT de alta tecnología NTP, 600V, 41ALote 6 Unidades G30N60HS IGBT de alta tecnología NTP, 600V, 41A
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    G30N60HS IGBT NTP, 600V, 30A a 100ºC.Pack 3 unidades.

    El IGBT G30N60HS Infineon tiene la capacidad de conmutación paralela, de distribuír parámetros muy ajustados, son de alta robustez y tiene un comportamiento estable a la temperatura.

    B7C4.5.6C80

    $6.079 Neto
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