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L6562A 4 UNIDADES
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$3.605 NetoEl L6562A es un controlador PFC de modo actual que funciona en modo de transición (TM). Viniendo con el mismo pin-out que sus predecesores L6561 y L6562, ofrece un rendimiento mejorado.
B4C79
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IRG71C28U IGBT 600V 12A a 100ªC. PACK 2 UNIDADES
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$4.290 NetoEste IGBT está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza avanzadas tecnología IGBT de trinchera para obtener un bajo VCE (encendido) y bajo nivel de EPULSETM por área de silicio que mejora el panel eficiencia. Las características adicionales son una temperatura de unión de funcionamiento de 150 ° C y una corriente de pico alta y repetitiva capacidad. Estas características se combinan para hacer de este IGBT un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable para PDP aplicaciones
B5C4.5C50
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K50T60, Ikw50n60t,Igbt K50n60, 50A a 100ºC
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$4.454 NetoTransistor Igbt K50t60 To-247 50a 600v
B7A7.8.9C71
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30F124 Transistor Mosfet. Pack 5 UNIDADES
Vista Rápida30F124 Transistor Mosfet. Pack 5 UNIDADES
$4.622 NetoTransistor 30F124 Mosfet IGBT TO220 300 V 30 A
B9B2C108
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RJP63F3A IGBT 630 40A
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$4.697 NetoRJP63F3A – 630V 40A N-ch IGBT – Renesas 630V 40A N-ch IGBT TO-220FL
B8A8.9C96
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G80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A
Vista RápidaG80N60UFD IGBT NPN,600V, 40A
$4.900 NetoRef.: TD-G80N60UFD
Codigo fabricante: G80N60 UFD
Tipo: IGBT ultrafast con diodo
Canal: N + diodo
VCES: 600V
IC: 40A
ICM: 220A
PD: 195W
TJ: 150ºC
TSTG: -55ºC a +150ºC
Encapsulado: TO-3PB11C1.2C37
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Pack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A
Vista RápidaPack 3 unidades FGPF4633 PDP IGBT, 330V, 300A
$4.958 NetoEste componente posee el óptimo rendimiento para aplicaciones de PDP donde la baja conducción y las perdidas de swtiching son ecenciales.
B5B1512
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K40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
-35%
Vista RápidaK40T1202, IKW40N120T2 TRANSISTOR IGBT 40A 1200V 480W
El precio original era: $7.690.$4.988El precio actual es: $4.988. NetoDescripción:
1. Tiempo de resistencia a cortocircuito – 10us
2. Diseñado para:
– Convertidores de frecuencia
– Suministro de energía ininterrumpida
3. TrenchStop® de segunda generación para aplicaciones de 1200 V ofrece:
– distribución de parámetros muy ajustada
– alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
4. Capacidad de paralelismo fácil debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE (sat)
5. Baja EMI
6. Carga baja de la puerta
7. Muy suave, recuperación rápida anti-paralelo Emitio controlado por emisor
8. Calificado según JEDEC1 para aplicaciones de destino
9. Recubrimiento de plomo sin Pb; RoHSB8A1130
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K30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.
Vista RápidaK30n60h3, K30h603, Ikw30h603 Transistor Igbt. Original.
$5.050 NetoESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 187W
Tensión colector-emisor (Vce): 600V
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95V
Tensión emisor-compuerta (Veg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 60A
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
Tiempo de elevación:
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO247
B7D1342
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RGT30NS65D IGBT transistor semiconductor, 2 Unidades
Vista RápidaRGT30NS65D IGBT transistor semiconductor, 2 Unidades
$5.499 NetoESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 66
Tensión colector-emisor (Vce): 650
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.65
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
Tiempo de elevación: 20
Capacitancia de salida (Cc), pF: 35
Empaquetado / Estuche: TO263
B11C8.9.10.11C84
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FGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original
Vista RápidaFGH40N60UFD IGBT 600V,40A.Original
$5.590 NetoUsando la nueva tecnología IGBT de parada de campo. Los IGBT FGH40N60 ofrecen el redimiento ótimo para un inversor solar, UPS, aplicaciones de soldador, microondas, telecomunicaciones, ESS y PFC, donde la baja de conducción y las pérdidas de conmutación son esenciales.
B7C1-3C44
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IGBT FGH60N60 600V, 60A(100ºC).Original. Con diodo damper.
Vista RápidaIGBT FGH60N60 600V, 60A(100ºC).Original. Con diodo damper.
$5.990 NetoUtilizando la nueva tecnología Field Stop IGBT, la serie de FairGB IGBT de Fairchild ofrece el FGH60N60 con un rendimiento óptimo para aplicaciones de calentamiento por inducción, UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
B7D10.11C22
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