fgh60n60smd Igbt 600v 60a, Con Diodo Damper.original
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FGH60N60SMD
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GP50B60PD1 IGBT N-Channel con diodo rapido 600V, 45A 390W, TO-247AD
El IGBT GP50B60PD1 puede ser utilizado en distintos hámbitos de la tecnología como por ejempo en telecomunicaciones y servidores SMPS, circuitos PFC y ZVS, fuentes de alimentación ininterrumpidas, etc.
B5C11.12C7
63-6008pbf IGBT Maquinas De Soldar Kemppi Minarc
Este es el reemplazo para el IGBT 63-6008pbf que es usado en maquinas de soldar kemppi minarc.
B12B7C1108
2MBI450U4E-120 IGBT MODULE 450A 1200V. Fuji Electronics
Número de Parte: 2MBI450U4E-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
Máxima potencia disipada (Pc), W: 2715
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 675
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Paquete / Cubierta: MODULE
GT50J325 IGBT, 50 A 600 V.Toshiba
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, conocido por su alta eficiencia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta simple de los MOSFET con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación de los transistores bipolares al combinar un FET de puerta aislada para la entrada de control y un transistor de potencia bipolar como interruptor, en un solo dispositivo.
B9A5C16
IGBT FGH60N60 600V, 60A(100ºC).Original. Con diodo damper.
Utilizando la nueva tecnología Field Stop IGBT, la serie de FairGB IGBT de Fairchild ofrece el FGH60N60 con un rendimiento óptimo para aplicaciones de calentamiento por inducción, UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
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